نانوذرات Cds آلاییده با آهن (CdS:Fe) به روش سنتز شیمیایی مرطوب در حلال آبی تهیه شده اند و از تیوگلیسرول (TG) به عنوان عامل پوششی استفاده شده است. اندازه نانوذرات محاسبه شده به روش پراش پرتو ایکس و روش اپتیکی در حدود 5-3 نانومتر است. الگوی طرح پراش اشعه ایکس فاز کریستالی هگزاگونال را نشان می دهد. نتایج حاصل از طیف جذب UV نشان می دهد که آلاییدگی گاف نواری را بزرگ تر کرده است، که این امر گویای کاهش اندازه نانوکریستال های تهیه شده است. اثر آلاییدگی و تغییر غلظت عامل پوششی بر روی طیف لومینساس نانوذرات بررسی شده است.

در طول دو دهه، مطالعات وسیعی بر روی ابر رساناهای دمای بالا انجام شده است. بخش بزرگ این تلاشها بر روی ناحیه کم آلاییده بوده است که فیزیک جدید و دشوار عایق مات آلاییده شده پیچیدگی های جدیدی را به آن افزوده است. از جمله زوج شدگی / جدا شدگی دو لایه ای باندهای جدا شده و نقاط داغ را می توان نام برد. با وجود اینکه این پیچیدگیها هنوز برطرف نشده است، در این مرور کوتاه، تمرکز بر روی ناحیه واقعی ابررسانایی با آلاییدگی بهینه معطوف شده است. این تمرکز فقط بر روی خود حالت ابررسانایی نیست، بلکه در اصل بر روی مشخصات حالت بهنجار است که از آن ناپایداری ابررسانایی ظاهر می شود، و البته آن را هم به صورت مختصر می شود بیان کرد. در این مقاله به دو موضوع پرداخته می شود: (1) چرا Tc بهینه تغیییر می کند؟: برای سیستمهای –n لایه ای، Tc با افزایش n تا 3 افزیاش می یابد ولی بعد کاهش می یابد، برای یک n خالص، Tc بسته به اتم پایه به ترتیب برای Tl, Bi و Hg افزایش می یابد. (2) چگونه فشار یا یک تنش محوری Tc را افزایش می دهد؟ در حالیکه سیستم بدون تنش نیز در حالت آلاییدگی بهینه است.

در این مقاله با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی به بررسی خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و ترموالکتریکی اتم تیتانیم آلاییده شده به تک لایه C3N با استفاده از کد محاسباتی Wien2K پرداخته شده است. مطالعۀ خواص الکترونی رفتار فلزی را برای این ساختار دوبعدی نشان می دهد. خواص اپتیکی نیز نشان دهنده ناهمسانگردی اپتیکی این ترکیب برای دو راستای x و z است. بررسی خواص ترموالکتریکی تک ­لایه C3N@Ti با استفاده نظریه نیمه کلاسیکی بولتزمن نشان می دهد که این تک لایه نه تنها دارای ضریب سیبک پایین بلکه دارای بازده ترموالکتریکی بسیار کوچکی می باشد که دارای کاربرد ترموالکتریکی محدودی می باشد.

در این پژوهش تلاش گردید تا با بهینه سازی برخی از فاکتورهای آزمایشگاهی، لایه های نازکی از نانوبلورهای نیم رسانای کادمیم روی سولفید آلاییده شده با کبالت با تک قله گسیل مربوط به ترازهای انرژی آلاییدگی، به روش انباشت حمام شیمیایی تهیه گردند. نتایج نشان دادند که قله گسیل شدید در حدود 530 نانومتر را می توان به بازترکیب حاملین بار از طریق ترازهای کبالت در گاف انرژی نسبت داد. همچنین، الگوهای پراش پرتوی ایکس لایه های نازک Co: CdZnS نشان دادند که با افزایش دمای لایه نشانی، اندازه ی نانوبلورهای تشکیل دهنده لایه ها بزرگتر می شود. کیفیت مناسب خواص سطح لایه های تهیه شده در دماهای لایه نشانی مختلف، با استفاده از تصویربرداریِ میکروسکوپ الکترون روبشیِ-گسیل میدانی اثبات گردید. خواص نشری این لایه-ها نشان می دهند که این لایه ها پتانسیل بسیار مناسبی برای کاربرد در دستگاه های اپتوالکترونیکی نانو مقیاس دارند.

طول پیوندهای یگانه و دوگانه تعادلی بلور fcc-C60 در غیاب و حضور آلاییدگی درون وجهی اتم کربن، fcc-C@C60، با استفاده از محاسبات خودسازگار بر پایه نظریه تابعی چگالی و پتانسیل کامل توابع موج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتال های موضعی پس از واهلش اتم ها محاسبه شده اند. نتایج نشان می دهند که طول پیوندهای یگانه و دوگانه در بلور آلاییده نسبت به بلور خالص کاهش می یابند. کاهش در طول پیوند پس از آلایش ناخالصی به اثر تغییر پیوند و کاهش تقارن در مولکول C60 نسبت داده شده است. نتایج نشان می دهند که تزریق ناخالصی درون وجهی سبب تغییر توزیع بار و در نتیجه تغییر خواص الکترونی می شود.

متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد، لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.